當(dāng)前位置：
單晶硅 多晶硅 非晶硅的區(qū)別
單晶硅多晶硅非晶硅，是一種用來(lái)制作太陽(yáng)能電池板的原材料。
1.電池片區(qū)別
電池片區(qū)別太陽(yáng)能電池，較早問(wèn)世的是單晶硅太陽(yáng)能電池。硅是地球上極豐富的一種元素，幾乎遍地都有硅的存在，可說(shuō)是取之不盡，用硅來(lái)制造太陽(yáng)能電池，原料可謂不缺，但是提煉它卻不容易，所以人們?cè)谏a(chǎn)單晶硅太陽(yáng)能電池的同時(shí)，又研究了多晶硅太陽(yáng)能電池和非晶硅太陽(yáng)能電池，至今商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池，還沒(méi)有跳出硅的系列。
其實(shí)可供制造太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料很多，隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽(yáng)能電池的品種將越來(lái)越多。目前已進(jìn)行研究和試制的太陽(yáng)能電池，除硅系列外，還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類(lèi)型的太陽(yáng)能電池，舉不勝舉，以下介紹幾種較常見(jiàn)的太陽(yáng)能電池。
2 單晶硅片
當(dāng)前開(kāi)發(fā)程度較高的一種太陽(yáng)能電池，它的構(gòu)成和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于宇宙空間和地面設(shè)施。這種太陽(yáng)能電池以高純的單晶硅棒為原料，純度要求99.999%。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)能電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)能電池專(zhuān)用的單晶硅棒。
將單晶硅棒切成片，一般片厚約0.3毫米。硅片經(jīng)過(guò)成形、拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。
加工太陽(yáng)能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就在硅片上形成P/FONT>N結(jié)。
然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線(xiàn)，經(jīng)過(guò)燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線(xiàn)的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽(yáng)能電池的單體片就制成了。
單體片經(jīng)過(guò)抽查檢驗(yàn)，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽(yáng)能電池組件（太陽(yáng)能電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流，較后用框架和封裝材料進(jìn)行封裝。
用戶(hù)根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可將太陽(yáng)能電池組件組成各種大小不同的太陽(yáng)能電池方陣，亦稱(chēng)太陽(yáng)能電池陣列。目前單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為18%左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有23%以上的。用于宇宙空間站的還有高達(dá)50%以上的太陽(yáng)能電池板。
單晶代表單個(gè)晶體，多晶則代表多個(gè)晶體
3 多晶硅片
單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一，加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽(yáng)能電池也是圓片，組成太陽(yáng)能組件平面利用率低。因此，80年代以來(lái)，歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太陽(yáng)能電池的研制。
目前太陽(yáng)能電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。
其工藝過(guò)程是選擇電阻率為100～300歐姆·厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料，經(jīng)破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g，然后用去離子水沖洗呈中性，并烘干。用石英坩堝裝載晶硅料，加入適量硼硅，放入澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。
這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽(yáng)能電池片，可提高材質(zhì)利用率和方便組裝。
多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)能電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約15%左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)能電池，但是材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。隨著技術(shù)得提高，目前多晶硅的轉(zhuǎn)換效率也可以達(dá)到17%左右。
4 非晶硅片
非晶硅太陽(yáng)能電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽(yáng)能電池，它與單晶硅和多晶硅太陽(yáng)能電池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。
制造非晶硅太陽(yáng)能電池的方法有多種，較常見(jiàn)的是輝光放電法，還有反應(yīng)濺射法、化學(xué)氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法和熱分解硅烷法等。
輝光放電法是將一石英容器抽成真空，充入氫氣或氬氣稀釋的硅烷，用射頻電源加熱，使硅烷電離，形成等離子體。非晶硅膜就沉積在被加熱的襯底上。若硅烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼，即可得到N型或P型的非晶硅膜。襯底材料一般用玻璃或不銹鋼板。
這種制備非晶硅薄膜的工藝，主要取決于嚴(yán)格控制氣壓、流速和射頻功率，對(duì)襯底的溫度也很重要。
非晶硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)有各種不同，其中有一種較好的結(jié)構(gòu)叫PiN電池，它是在襯底上先沉積一層摻磷的N型非晶硅，再沉積一層未摻雜的i層，然后再沉積一層摻硼的P型非晶硅，較后用電子束蒸發(fā)一層減反射膜，并蒸鍍銀電極。此種制作工藝，可以采用一連串沉積室，在生產(chǎn)中構(gòu)成連續(xù)程序，以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
同時(shí)，非晶硅太陽(yáng)能電池很薄，可以制成疊層式，或采用集成電路的方法制造，在一個(gè)平面上，用適當(dāng)?shù)难谀９に嚕淮沃谱鞫鄠€(gè)串聯(lián)電池，以獲得較高的電壓。因?yàn)槠胀ňw硅太陽(yáng)能電池單個(gè)只有0.5伏左右的電壓，現(xiàn)在日本生產(chǎn)的非晶硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池可達(dá)2.4伏。
目前非晶硅太陽(yáng)能電池存在的問(wèn)題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低，國(guó)際先進(jìn)水平為10%左右，且不夠穩(wěn)定，常有轉(zhuǎn)換效率衰降的現(xiàn)象，所以尚未大量用于作大型太陽(yáng)能電源，而多半用于弱光電源，如袖珍式電子計(jì)算器、電子鐘表及復(fù)印機(jī)等方面。
估計(jì)效率衰降問(wèn)題克服后，非晶硅太陽(yáng)能電池將促進(jìn)太陽(yáng)能利用的大發(fā)展，因?yàn)樗杀镜停亓枯p，應(yīng)用更為方便，它可以與房屋的屋面結(jié)合構(gòu)成住戶(hù)的獨(dú)立電源。
